Τέθηκε σε λειτουργία η γραμμή παραγωγής της μονάδας SiC της Zhixin Semiconductor

Η Zhixin Semiconductor ανακοίνωσε πρόσφατα ότι έχει σημειώσει σημαντική πρόοδο στην κατασκευή της γραμμής παραγωγής συσκευασιών της μονάδας SiC. Ως στρατηγικός εταίρος των νέων ενεργειακών οχημάτων πλήρους συστήματος της Dongfeng, το έργο της μονάδας IGBT της εταιρείας σχεδιάζει να πραγματοποιήσει το έργο κατασκευής γραμμής παραγωγής δεύτερης φάσης με βάση τη δυναμικότητα παραγωγής 300.000 μονάδων του έργου της πρώτης φάσης. Το έργο βρίσκεται στη ζώνη οικονομικής και τεχνολογικής ανάπτυξης της Γουχάν, με συνολική επένδυση περίπου 163 εκατομμυρίων γιουάν. Το έργο ξεκίνησε να κατασκευάζεται στις 8 Μαΐου 2023, ολοκληρώθηκε στις 4 Ιανουαρίου 2024 και τέθηκε σε λειτουργία τον Απρίλιο του 2024. Αναμένεται ότι η νέα παραγωγική ικανότητα θα είναι 380.000 μονάδες IGBT ετησίως και 20.000 μονάδες IGBT (μονάδες SiC) ετησίως, με συνολική χωρητικότητα 700.000 ενότητες ετησίως.