קו הייצור של מודול SiC של Zhixin Semiconductor מופעל

Zhixin Semiconductor הודיעה לאחרונה כי היא התקדמה משמעותית בבניית קו הייצור של מודולי SiC שלה. כשותפה אסטרטגית של רכבי האנרגיה החדשים של דונג-פנג, פרויקט מודול ה-IGBT של החברה מתכנן לבצע את פרויקט בניית קו הייצור השלב השני על בסיס כושר הייצור של 300,000 יחידות של פרויקט השלב הראשון שלה. הפרויקט ממוקם באזור הפיתוח הכלכלי והטכנולוגי של ווהאן, בהשקעה כוללת של כ-163 מיליון יואן. הפרויקט החל את בנייתו ב-8 במאי 2023, הסתיים ב-4 בינואר 2024, והופעל באפריל 2024. צפוי כי כושר הייצור החדש יהיה 380,000 מודולי IGBT בשנה ו-20,000 מודולי IGBT (מודולי SiC) בשנה, עם קיבולת כוללת של 700,000 מודולים בשנה.