Intel နှင့် Samsung တို့သည် 3.5D တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာကို တက်ကြွစွာအသုံးပြုကြသည်။

ကမ္ဘာ့အကြီးဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကုမ္ပဏီကြီးနှစ်ခုဖြစ်သည့် Intel နှင့် Samsung တို့သည် 3.5D တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာကို တက်ကြွစွာ တီထွင်ထုတ်လုပ်လျက်ရှိသည်။ Intel ၏အကြီးတန်းဒုတိယဥက္ကဋ္ဌ Kevin O'Buckley က ၎င်းတို့၏ 3.5D နည်းပညာသည် ဆီလီကွန်တံတားဖြင့် အလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် အခြေခံထားပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်သော အချက်ပြစွမ်းရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားကြောင်း ပြောကြားခဲ့သည်။ Samsung သည် 3.5D ဖွဲ့စည်းမှုပုံစံအတွက် ၎င်း၏လမ်းပြမြေပုံကို ပြသခဲ့ပြီး 2027 ခုနှစ်တွင် 1.4nm ချစ်ပ်များကို အသုံးပြုရန် စီစဉ်ခဲ့သည်။