Tianyu Semiconductor silīcija karbīda epitaksiālais projekts drīz sāks izmēģinājuma ražošanu

Guangdong Tianyu Semiconductor galvenā mītne un ražošanas ražošanas centra projekts drīz nonāks izmēģinājuma ražošanas posmā. Projekta kopējās investīcijas ir 8 miljardi RMB, un tas atrodas Songshan ezera ekoloģiskajā parkā. Tā kopējā platība ir aptuveni 114,65 hektāri, un tā būvniecības platība ir aptuveni 240 000 kvadrātmetru. Projekta būvniecības periods ir no 2023. līdz 2026. gadam. Pēc pabeigšanas tas tiks izmantots 6 collu/8 collu silīcija karbīda epitaksiālo plāksnīšu ražošanai ar paredzamo ražošanas jaudu 1,5 miljoni vafeļu gadā.