Tianyu Semiconductori ränikarbiidi epitaksiaalprojekt alustab proovitootmist

Guangdong Tianyu Semiconductori peakorteri ja tootmiskeskuse projekt on jõudmas proovitootmise etappi. Projekti koguinvesteering on 8 miljardit RMB ja see asub Songshan Lake'i ökoloogilises pargis. Selle kogupindala on umbes 114,65 aakrit ja selle ehitusala on umbes 240 000 ruutmeetrit. Projekti ehitusperiood on 2023–2026. Pärast valmimist hakatakse seda kasutama 6-tolliste/8-tolliste ränikarbiidist epitaksiaalplaatide tootmiseks, mille hinnanguline tootmisvõimsus on 1,5 miljonit vahvlit aastas.