Dự án epitaxial silicon carbide của Tianyu Semiconductor sắp bắt đầu sản xuất thử nghiệm

181
Dự án trụ sở chính và trung tâm sản xuất của Guangdong Tianyu Semiconductor sắp bước vào giai đoạn sản xuất thử nghiệm. Dự án có tổng vốn đầu tư là 8 tỷ nhân dân tệ, nằm trong Công viên sinh thái hồ Tùng Sơn, diện tích đất khoảng 114,65 mẫu Anh, diện tích xây dựng khoảng 240.000 mét vuông. Thời gian xây dựng dự án từ năm 2023 đến năm 2026. Sau khi hoàn thành, nhà máy sẽ được sử dụng để sản xuất các tấm wafer epitaxial silicon carbide 6 inch/8 inch, với công suất sản xuất ước tính là 1,5 triệu tấm wafer mỗi năm.