Tianyu Semiconductor-ის სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური პროექტი იწყებს საცდელ წარმოებას

181
Guangdong Tianyu Semiconductor-ის სათაო ოფისი და წარმოების საწარმოო ცენტრის პროექტი საცდელ წარმოების ეტაპზე გადადის. პროექტს აქვს საერთო ინვესტიცია 8 მილიარდი RMB და მდებარეობს სონგშანის ტბის ეკოლოგიურ პარკში, იგი მოიცავს დაახლოებით 114,65 ჰექტარ ფართობს და აქვს დაახლოებით 240,000 კვადრატული მეტრის სამშენებლო ფართობი. პროექტის მშენებლობის პერიოდია 2023 წლიდან 2026 წლამდე. დასრულების შემდეგ, იგი გამოყენებული იქნება 6 დიუმიანი/8 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური ვაფლის დასამზადებლად, სავარაუდო წარმოების სიმძლავრით წელიწადში 1,5 მილიონი ვაფლი.