德州天衢新區啟動50億半導體光達及感測件產業化項目

8月31日，位於德州天衢新區的半導體雷射雷達及感測器件產業化計畫正式啟動，總投資達50億元。該項目計劃建造10條生產線，專注於砷化鎵基板外延生產、裝置模組製造和封裝測試。砷化鎵作為第二代化合物半導體，是製作高頻、高速以及高功率電子裝置的關鍵材料。專案將具備從外延、晶片到模組、整機的垂直一體化生產能力，滿足高階精密雷射雷達及感測器的國產化替代需求，同時填補國內光達產業全鏈條生產的空白。