Dezhou Tianqu New District запускає проект індустріалізації напівпровідникових лазерних радарів і сенсорних пристроїв вартістю 5 мільярдів доларів

31 серпня був офіційно запущений проект індустріалізації напівпровідникових лазерних радарів і сенсорних пристроїв, розташований у новому районі Тяньцюй, Дечжоу, із загальним обсягом інвестицій у 5 мільярдів юанів. У рамках проекту планується побудувати 10 виробничих ліній, зосереджених на епітаксіальному виробництві підкладки з арсеніду галію, виготовленні модулів пристроїв і тестуванні упаковки. Як складний напівпровідник другого покоління арсенід галію є ключовим матеріалом для виготовлення високочастотних, високошвидкісних і потужних електронних пристроїв. Проект матиме вертикально інтегровані виробничі можливості від епітаксії, чіпів до модулів і готових машин, задовольняючи попит на заміну вітчизняних прецизійних лідарів і датчиків високого класу та заповнюючи прогалину у повному ланцюжку виробництва внутрішньої галузі лідарів.