তিয়ানকে হেদা পণ্য উন্নয়নের ইতিহাস

তিয়ানকে হেদার সদর দপ্তর বেইজিংয়ে অবস্থিত এবং ২০০৬ সালের সেপ্টেম্বরে জিনজিয়াং তিয়ানফু গ্রুপ এবং চাইনিজ একাডেমি অফ সায়েন্সেসের পদার্থবিদ্যা ইনস্টিটিউট দ্বারা প্রতিষ্ঠিত হয়েছিল। এটি চীনের প্রথম জাতীয় উচ্চ-প্রযুক্তি উদ্যোগ যা তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন কার্বাইডের গবেষণা, উন্নয়ন, উৎপাদন এবং বিক্রয়ে বিশেষজ্ঞ। ২০০৮ সালে, ২-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার ব্যাপকভাবে উৎপাদিত হয়েছিল, ২০১২ সালে, ৪-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার সফলভাবে তৈরি করা হয়েছিল, ২০১৪ সালে, চীনে প্রথম ৬-ইঞ্চি SIC স্ফটিক সফলভাবে তৈরি করা হয়েছিল এবং ২০২২ সালে, ৮-ইঞ্চি পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট সফলভাবে তৈরি করা হয়েছিল।