Tianke Heda პროდუქტის განვითარების ისტორია

Tianke Heda-ს სათაო ოფისი მდებარეობს პეკინში და დაარსდა 2006 წლის სექტემბერში Xinjiang Tianfu Group-ისა და ჩინეთის მეცნიერებათა აკადემიის ფიზიკის ინსტიტუტის მიერ. 2008 წელს, 2 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ვაფლები მასობრივად წარმოიქმნა, 2012 წელს წარმატებით განვითარდა 4 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ვაფლები, 2014 წელს პირველი 6 დიუმიანი SIC კრისტალი წარმატებით განვითარდა ჩინეთში, ხოლო 2022 წელს წარმატებით განვითარდა 8 დიუმიანი ქვეგამტარი სილიკონი.