STMicroelectronics e Sanan cooperam para construir uma fábrica de substrato de carboneto de silício (SiC) de 8 polegadas em Chongqing

A fábrica de substrato de carboneto de silício (SiC) de 8 polegadas estabelecida em conjunto pela STMicroelectronics (STM) e pela Sanan Optoelectronics Co., Ltd. em Chongqing iniciou a produção dois meses antes do previsto. A planta é um investimento significativo na cadeia de suprimentos de veículos elétricos da China, integrando P&D e fabricação de substratos de SiC de nível automotivo, epitaxia e chips. O investimento total do projeto de carboneto de silício da Sanan ST é de cerca de RMB 30 bilhões, e a receita anual deve chegar a RMB 17 bilhões. A fábrica de Chongqing se tornará uma importante fornecedora de substratos de SiC para o crescente mercado de veículos elétricos da China, com uma capacidade de produção anual de 480.000 substratos de SiC de 8 polegadas e chips de potência MOSFET de nível automotivo.