STMicroelectronics a Sanan kooperéieren fir eng 8-Zoll Silicon Carbide (SiC) Substratfabréck zu Chongqing ze bauen

D'8-Zoll Silicon Carbide (SiC) Substrat Fabréck gemeinsam etabléiert vun STMicroelectronics (STM) a Sanan Optoelectronics Co., Ltd. zu Chongqing huet d'Produktioun zwee Méint virum Zäitplang ugefaang. D'Planz ass eng bedeitend Investitioun an der China's elektresche Gefier Versuergungskette, integréiert R&D a Fabrikatioun vun Automotive-Grad SiC Substrate, Epitaxie a Chips. D'Gesamtinvestitioun vum Sanan ST Siliciumcarbidprojet ass ongeféier RMB 30 Milliarden, an d'Joresakommes gëtt erwaart RMB 17 Milliarden z'erreechen. D'Chongqing Planz wäert e grousse Fournisseur vu SiC Substrate fir de China boomende elektresche Gefiermaart ginn, mat enger jährlecher Produktiounskapazitéit vu 480.000 8-Zoll SiC Substrater an Automotive-Grad MOSFET Power Chips.