Η STMicroelectronics και η Sanan συνεργάζονται για την κατασκευή ενός εργοστασίου υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) 8 ιντσών στο Chongqing

Το εργοστάσιο υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) 8 ιντσών που ιδρύθηκε από κοινού από τη STMicroelectronics (STM) και τη Sanan Optoelectronics Co., Ltd. στο Chongqing ξεκίνησε την παραγωγή δύο μήνες νωρίτερα από το χρονοδιάγραμμα. Το εργοστάσιο είναι μια σημαντική επένδυση στην αλυσίδα εφοδιασμού ηλεκτρικών οχημάτων της Κίνας, ενσωματώνοντας την Ε&Α και την κατασκευή υποστρωμάτων SiC, επιταξίας και τσιπς κατηγορίας αυτοκινήτου. Η συνολική επένδυση του έργου καρβιδίου του πυριτίου της Sanan ST είναι περίπου 30 δισεκατομμύρια RMB και τα ετήσια έσοδα αναμένεται να φτάσουν τα 17 δισεκατομμύρια RMB. Το εργοστάσιο του Chongqing θα γίνει σημαντικός προμηθευτής υποστρωμάτων SiC για την ακμάζουσα αγορά ηλεκτρικών οχημάτων της Κίνας, με ετήσια παραγωγική ικανότητα 480.000 υποστρωμάτων SiC 8 ιντσών και τσιπ ισχύος MOSFET για αυτοκίνητα.