СТМицроелецтроницс и Санан сарађују на изградњи 8-инчне фабрике супстрата од силицијум карбида (СиЦ) у Чонгкингу

Фабрика супстрата од 8 инча од силицијум карбида (СиЦ), коју су заједнички основали СТМицроелецтроницс (СТМ) и Санан Оптоелецтроницс Цо., Лтд. у Чонгкингу, почела је производњу два месеца пре рока. Фабрика представља значајну инвестицију у кинески ланац снабдевања електричним возилима, интегришући истраживање и развој и производњу СиЦ супстрата, епитаксије и чипова за аутомобиле. Укупна инвестиција Санан СТ-овог пројекта силицијум карбида износи око 30 милијарди РМБ, а очекује се да ће годишњи приход достићи 17 милијарди РМБ. Фабрика у Чонгкингу ће постати главни снабдевач СиЦ супстрата за кинеско тржиште електричних возила у процвату, са годишњим производним капацитетом од 480.000 8-инчних СиЦ супстрата и МОСФЕТ енергетских чипова за аутомобиле.