STMicroelectronics in Sanan sodelujeta pri izgradnji 8-palčne tovarne substratov iz silicijevega karbida (SiC) v Chongqingu

Tovarna 8-palčnih substratov iz silicijevega karbida (SiC), ki sta jo skupaj ustanovila STMicroelectronics (STM) in Sanan Optoelectronics Co., Ltd. v Chongqingu, je začela proizvodnjo dva meseca pred rokom. Tovarna je pomembna naložba v kitajsko dobavno verigo električnih vozil, ki združuje raziskave in razvoj ter proizvodnjo podlag SiC, epitaksije in čipov za avtomobile. Celotna naložba projekta silicijevega karbida podjetja Sanan ST je približno 30 milijard RMB, letni prihodek pa naj bi dosegel 17 milijard RMB. Tovarna v Chongqingu bo postala glavni dobavitelj substratov SiC za cvetoči kitajski trg električnih vozil z letno proizvodno zmogljivostjo 480.000 8-palčnih substratov SiC in napajalnih čipov MOSFET za avtomobilsko uporabo.