Az STMicroelectronics és a Sanan együttműködik egy 8 hüvelykes szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumgyár felépítésében Chongqingben

Az STMicroelectronics (STM) és a Sanan Optoelectronics Co., Ltd. által Chongqingban közösen létrehozott 8 hüvelykes szilícium-karbid (SiC) szubsztrátgyár két hónappal a tervezett időpont előtt megkezdte a termelést. Az üzem jelentős befektetés a kínai elektromos járművek ellátási láncába, integrálva az autóipari minőségű SiC hordozók, epitaxia és chipek kutatás-fejlesztését és gyártását. A Sanan ST szilícium-karbid projektjének teljes beruházása körülbelül 30 milliárd RMB, az éves bevétel pedig várhatóan eléri a 17 milliárd RMB-t. A Chongqing-i üzem a szilícium-karbid szubsztrátumok egyik fő szállítója lesz Kína virágzó elektromos járműpiacán, éves gyártási kapacitása 480 000 8 hüvelykes SiC szubsztrát és autóipari minőségű MOSFET tápchip.