STMicroelectronics နှင့် Sanan တို့သည် Chongqing တွင် 8 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အလွှာစက်ရုံတစ်ခုတည်ဆောက်ရန် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ခြင်း၊

ချုံကင်းရှိ STMicroelectronics (STM) နှင့် Sanan Optoelectronics Co., Ltd. တို့ ပူးပေါင်းတည်ထောင်ထားသည့် 8 လက်မစီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အလွှာစက်ရုံသည် သတ်မှတ်ချိန်ထက် နှစ်လကြိုတင် ထုတ်လုပ်မှုကို စတင်နေပြီဖြစ်သည်။ အဆိုပါစက်ရုံသည် R&D နှင့် မော်တော်ကားအဆင့်ရှိ SiC အလွှာများ၊ epitaxy နှင့် ချစ်ပ်များထုတ်လုပ်ခြင်းတို့ကို ပေါင်းစပ်ကာ တရုတ်နိုင်ငံ၏ လျှပ်စစ်ကားထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်တွင် သိသာထင်ရှားသော ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ Sanan ST ၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပရောဂျက်၏ စုစုပေါင်းရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှာ ယွမ် 30 ဘီလီယံခန့်ဖြစ်ပြီး နှစ်စဉ် ၀င်ငွေမှာ ယွမ် 17 ​​ဘီလီယံအထိ ရှိမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။ Chongqing စက်ရုံသည် တရုတ်နိုင်ငံ၏ ထွန်းကားလာသော လျှပ်စစ်ကားစျေးကွက်အတွက် SiC အလွှာ၏ အဓိက ပံ့ပိုးသူ ဖြစ်လာမည်ဖြစ်ပြီး နှစ်စဉ် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည် 480,000 8 လက်မအရွယ် SiC အလွှာနှင့် မော်တော်ကားအဆင့် MOSFET ပါဝါချစ်ပ်များ ပါဝင်မည်ဖြစ်သည်။