STMicroelectronics และ Sanan ร่วมมือกันสร้างโรงงานผลิตแผ่นพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 8 นิ้วในเมืองฉงชิ่ง

โรงงานผลิตแผ่นพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 8 นิ้วที่จัดตั้งร่วมกันโดย STMicroelectronics (STM) และ Sanan Optoelectronics Co., Ltd. ในเมืองฉงชิ่ง ได้เริ่มการผลิตล่วงหน้าก่อนกำหนดสองเดือน โรงงานแห่งนี้ถือเป็นการลงทุนครั้งสำคัญในห่วงโซ่อุปทานยานยนต์ไฟฟ้าของจีน โดยบูรณาการการวิจัยและพัฒนา และการผลิตซับสเตรต SiC เกรดยานยนต์ เอพิแทกซี และชิป การลงทุนรวมของโครงการซิลิกอนคาร์ไบด์ของ Sanan ST อยู่ที่ประมาณ 30,000 ล้านหยวน และคาดว่ารายได้ต่อปีจะสูงถึง 17,000 ล้านหยวน โรงงานในเมืองฉงชิ่งจะกลายเป็นซัพพลายเออร์รายใหญ่ของสารตั้งต้น SiC สำหรับตลาดรถยนต์ไฟฟ้าของจีนที่กำลังเติบโตอย่างรวดเร็ว โดยมีกำลังการผลิตประจำปีจำนวน 480,000 สารตั้งต้น SiC ขนาด 8 นิ้ว และชิปกำลัง MOSFET เกรดยานยนต์