চংকিং-এ ৮ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেট কারখানা তৈরিতে সহযোগিতা করছে STMicroelectronics এবং Sanan

চংকিং-এ STMicroelectronics (STM) এবং Sanan Optoelectronics Co., Ltd দ্বারা যৌথভাবে প্রতিষ্ঠিত 8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড (SiC) সাবস্ট্রেট কারখানাটি নির্ধারিত সময়ের দুই মাস আগেই উৎপাদন শুরু করেছে। এই প্ল্যান্টটি চীনের বৈদ্যুতিক যানবাহন সরবরাহ শৃঙ্খলে একটি উল্লেখযোগ্য বিনিয়োগ, যা গবেষণা ও উন্নয়ন এবং অটোমোটিভ-গ্রেড SiC সাবস্ট্রেট, এপিট্যাক্সি এবং চিপস তৈরির কাজকে একীভূত করে। সানান এসটি-এর সিলিকন কার্বাইড প্রকল্পের মোট বিনিয়োগ প্রায় ৩০ বিলিয়ন আরএমবি, এবং বার্ষিক রাজস্ব ১৭ বিলিয়ন আরএমবিতে পৌঁছাবে বলে আশা করা হচ্ছে। চংকিং প্ল্যান্টটি চীনের ক্রমবর্ধমান বৈদ্যুতিক যানবাহন বাজারের জন্য SiC সাবস্ট্রেটের একটি প্রধান সরবরাহকারী হয়ে উঠবে, যার বার্ষিক উৎপাদন ক্ষমতা 480,000 8-ইঞ্চি SiC সাবস্ট্রেট এবং অটোমোটিভ-গ্রেড MOSFET পাওয়ার চিপ।