STMicroelectronics וסאנאן משתפות פעולה לבניית מפעל מצעי סיליקון קרביד (SiC) בגודל 8 אינץ' בצ'ונגצ'ינג

מפעל מצעי סיליקון קרביד (SiC) בגודל 8 אינץ' שהוקם במשותף על ידי STMicroelectronics (STM) ו-Sanan Optoelectronics Co., Ltd בצ'ונגצ'ינג החל בייצור חודשיים לפני המועד המתוכנן. המפעל מהווה השקעה משמעותית בשרשרת האספקה ​​של כלי רכב חשמליים של סין, תוך שילוב מו"פ וייצור של מצעי SiC, אפיטקסיה ושבבים בדרגת רכב. ההשקעה הכוללת של פרויקט הסיליקון קרביד של Sanan ST היא כ-30 מיליארד יואן, וההכנסות השנתיות צפויות להגיע ל-17 מיליארד יואן. מפעל צ'ונגצ'ינג יהפוך לספק מרכזי של מצעי SiC לשוק הרכב החשמלי המשגשג של סין, עם כושר ייצור שנתי של 480,000 מצעי SiC בגודל 8 אינץ' ושבבי כוח MOSFET בדרגת רכב.