STMicroelectronics en Sanan werk saam om 'n 8-duim silikonkarbied (SiC) substraatfabriek in Chongqing te bou

Die 8-duim silikonkarbied (SiC) substraatfabriek wat gesamentlik deur STMicroelectronics (STM) en Sanan Optoelectronics Co., Ltd. in Chongqing gestig is, het twee maande voor skedule begin met produksie. Die aanleg is 'n beduidende belegging in China se voorsieningsketting vir elektriese voertuie, wat die R&D en vervaardiging van motor-graad SiC-substrate, epitaksie en skyfies integreer. Die totale belegging van Sanan ST se silikonkarbiedprojek is sowat RMB 30 miljard, en die jaarlikse inkomste sal na verwagting RMB 17 miljard bereik. Die Chongqing-aanleg sal 'n groot verskaffer van SiC-substrate vir China se bloeiende elektriese voertuigmark word, met 'n jaarlikse produksievermoë van 480 000 8-duim SiC-substrate en MOSFET-kragskyfies van motorgraad.