STMicroelectronics ha Sanan oñomoirû omopu'ã haguã fábrica de sustrato carburo de silicio (SiC) 8 pulgadas Chongqing-pe

Ko fábrica sustrato carburo de silicio (SiC) 8 pulgadas omopyendáva oñondive STMicroelectronics (STM) ha Sanan Optoelectronics Co., Ltd. Chongqing-pe oñepyrü producción mokõi jasy mboyve. Ko planta ha'e peteî inversión tuichaitereíva cadena de suministro vehículo eléctrico China-pe, ointegráva I+D ha fabricación sustrato SiC grado automotriz, epitaxia ha astilla. Inversión total proyecto carburo de silicio Sanan ST ha'e 30.000 millones de RMB rupi, ha oñeha'ãrõ ingreso anual oguahë 17.000 millones de RMB. Ko planta Chongqing oikóta peteî proveedor kakuaa sustrato SiC mercado de vehículos eléctricos China-pe guarã, orekóva capacidad de producción anual 480.000 sustrato SiC 8 pulgadas ha chips de potencia MOSFET grado automotriz.