Samsung Electronics ve Yangtze Memory Technologies 3D NAND Hibrit Bağlantı Patent Lisans Anlaşması İmzaladı

2025-02-26 08:30
 439
Samsung Electronics'in yakın zamanda Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. ile önemli bir işbirliği anlaşmasına vardığı ve Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.'nin 3D NAND hibrit bağlama patentli teknolojisini benimseyeceği bildiriliyor. Bu teknoloji ilk olarak yaklaşık dört yıl önce Yangtze Memory tarafından "Xtacking" olarak adlandırıldı. Samsung, özellikle yeni gelişmiş paketleme teknolojisi "hibrit bağlama" ile V10 ürününden itibaren bu teknolojiyi kullanmaya başlayacak.