Самсунг Елецтроницс и Иангтзе Мемори Тецхнологиес потписују лиценцни уговор о 3Д НАНД хибридном повезивању

Саопштено је да је Самсунг Елецтроницс недавно постигао важан споразум о сарадњи са Иангтзе Мемори Тецхнологиес Цо., Лтд. и да ће усвојити патентирану технологију 3Д НАНД хибридног везивања компаније Иангтзе Мемори Тецхнологиес Цо., Лтд. Јангце Мемори је ову технологију први пут назвао „Кстацкинг“ пре око четири године. Самсунг ће ову технологију почети да користи од свог производа В10, посебно у новој напредној технологији паковања „хибридно везивање“.