Samsung Electronics i Yangtze Memory Technologies podpisują umowę licencyjną na patent hybrydowego łączenia 3D NAND

Doniesiono, że Samsung Electronics niedawno zawarł ważną umowę o współpracy z Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. i wdroży opatentowaną technologię hybrydowego łączenia pamięci 3D NAND firmy Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Technologia ta została po raz pierwszy nazwana „Xtacking” przez Yangtze Memory około cztery lata temu. Samsung zacznie stosować tę technologię od swojego produktu V10, zwłaszcza w nowej, zaawansowanej technologii pakowania „hybrid bonding”.