Sanan Semiconductor und Hongan Microelectronics haben eine strategische Kooperationsvereinbarung unterzeichnet

Sanan Semiconductor und Hongan Microelectronics haben in Changsha, Hunan, eine strategische Kooperationsvereinbarung unterzeichnet, deren Ziel es ist, die Zusammenarbeit im SiC-Bereich zu stärken, die Gewährleistung der Produktionskapazität und den technischen Support zu fördern und gemeinsam auf Marktanforderungen wie Fahrzeuge mit alternativer Energie sowie Photovoltaikspeicherung und -aufladung zu reagieren.