Sanan Semiconductor in Hongan Microelectronics sta podpisala sporazum o strateškem sodelovanju

Podjetji Sanan Semiconductor in Hongan Microelectronics sta v mestu Changsha v Hunanu podpisali sporazum o strateškem sodelovanju, katerega namen je okrepiti sodelovanje na področju SiC, spodbujati garancijo proizvodnih zmogljivosti in tehnično podporo ter se skupaj odzvati na zahteve trga, kot so nova energetska vozila, fotonapetostno shranjevanje in polnjenje.