Vorteile der Siliziumkarbid-Hauptantriebsmodule für Fahrzeuge mit neuer Antriebstechnologie von Xizhi Technology

Die Produktreihen SiC MOSFET DCM-8-Schnittstellenmodul und SiC MOSFET PM6-4-Schnittstellenmodul von Xizhi Technology zeichnen sich durch ultraniedrige Schleifeninduktivität, geringere Spannungsspitzen, niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Rückwärtswiederherstellung, niedrigeren Wärmewiderstand und höhere Leistungsdichte aus. Diese Produkte entsprechen dem Entwicklungstrend von 800-V-Fahrzeugen mit neuer Antriebstechnologie hin zu kunststoffgekapselten Leistungsmodulen aus Siliziumkarbid und können die hervorragende Leistung von Halbleitern der dritten Generation voll ausspielen.