Преимущества новых модулей главного привода энергетического транспортного средства из карбида кремния от компании Xizhi Technology

Интерфейсный модуль SiC MOSFET DCM-8 и интерфейсный модуль SiC MOSFET PM6-4 компании Xizhi Technology обладают такими характеристиками, как сверхнизкая индуктивность контура, меньшие скачки напряжения, низкое сопротивление открытого канала и быстрое обратное восстановление, меньшее тепловое сопротивление и более высокая плотность мощности. Эти изделия соответствуют тенденции развития новых энергетических транспортных средств напряжением 800 В, переходящих на силовые модули с пластиковым корпусом из карбида кремния, и могут в полной мере раскрыть превосходные характеристики полупроводников третьего поколения.