Xizhi Technology jauno enerģijas transportlīdzekļu galvenās piedziņas silīcija karbīda moduļu priekšrocības

Xizhi Technology SiC MOSFET DCM-8 interfeisa modulim un SiC MOSFET PM6-4 interfeisa moduļu sērijas produktiem ir īpaši zemas cilpas induktivitātes, zemākas sprieguma tapas, zemas pretestības un ātras reversās atkopšanas, zemākas termiskās pretestības un lielāka jaudas blīvuma īpašības. Šie produkti atbilst 800 V jaunu enerģijas transportlīdzekļu attīstības tendencei, pārejot uz silīcija karbīda plastmasā iekapsulētiem jaudas moduļiem, un tie var pilnībā izmantot trešās paaudzes pusvadītāju izcilo veiktspēju.