Xizhi Technology-ის ახალი ენერგეტიკული მანქანის მთავარი წამყვანი სილიკონის კარბიდის მოდულების უპირატესობები

Xizhi Technology-ის SiC MOSFET DCM-8 ინტერფეისის მოდულს და SiC MOSFET PM6-4 ინტერფეისის მოდულის სერიის პროდუქტებს აქვთ ულტრა დაბალი მარყუჟის ინდუქციურობის მახასიათებლები, დაბალი ძაბვის მწვერვალები, დაბალი წინააღმდეგობა და სწრაფი უკუსვლა, დაბალი თერმული წინააღმდეგობა და მაღალი სიმძლავრის სიმკვრივე. ეს პროდუქტები შეესაბამება 800 ვოლტიანი ახალი ენერგეტიკული მანქანების განვითარების ტენდენციას, რომლებიც გადადიან სილიკონის კარბიდის პლასტმასში ჩასმული დენის მოდულებზე და შეუძლიათ სრულად შეასრულონ მესამე თაობის ნახევარგამტარების შესანიშნავი შესრულება.