ইনোসায়েন্স সম্পর্কে

ইনোসায়েন্স হল একটি উচ্চ-প্রযুক্তিগত উদ্যোগ যা তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর সিলিকন-ভিত্তিক গ্যালিয়াম নাইট্রাইড এপিট্যাক্সি এবং ডিভাইসগুলির গবেষণা, উন্নয়ন এবং উৎপাদনের জন্য নিবেদিত। এটি IDM (ইন্টিগ্রেটেড ডিভাইস ম্যানুফ্যাকচার) পূর্ণ শিল্প চেইন মডেল গ্রহণ করে এবং বিশ্বের প্রথম 8-ইঞ্চি GaN-on-Si ওয়েফার ভর উৎপাদন লাইন প্রতিষ্ঠা করেছে যার উৎপাদন ক্ষমতা সবচেয়ে বেশি। ইনোসায়েন্সের লক্ষ্য বিশ্বের বৃহত্তম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) উৎপাদন ভিত্তি তৈরি করা যা একটি সম্পূর্ণ শিল্প শৃঙ্খল মডেল গ্রহণ করে, নকশা, গবেষণা ও উন্নয়ন, উৎপাদন এবং বিক্রয়কে একীভূত করে। যদি GaN পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলিকে বাজারে বৃহৎ পরিসরে প্রচার করতে হয়, তাহলে আরও তিনটি সমস্যা সমাধান করতে হবে: প্রথমটি হল খরচ, যা ব্যাপকভাবে গ্রহণের জন্য যুক্তিসঙ্গত মূল্য নির্ধারণ করতে হবে। দ্বিতীয়ত, বাজারের বিস্ফোরণ মোকাবেলা করার জন্য বৃহৎ আকারের ব্যাপক উৎপাদনের ক্ষমতা থাকা। তৃতীয়ত, আমাদের ডিভাইস সরবরাহ শৃঙ্খলের স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করতে হবে। পণ্যের স্থিতিশীল সরবরাহের মাধ্যমে, গ্রাহকরা গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ডিভাইস সরবরাহ কৌশলের পরিবর্তনের কারণে উৎপাদন স্থগিতের বিষয়ে চিন্তা না করেই পণ্য এবং সিস্টেম উন্নয়নে নিজেদেরকে আন্তরিকভাবে নিবেদিত করতে পারেন। ইনোসায়েন্স কৌশলগতভাবে ৮ ইঞ্চি ওয়েফার গ্রহণ করেছে। ৬ ইঞ্চি ওয়েফারের তুলনায়, ৮ ইঞ্চি ওয়েফার ৮০% বেশি ডিভাইস ধারণ করতে পারে। বর্তমানে, কোম্পানির দুটি ৮-ইঞ্চি সিলিকন-ভিত্তিক গ্যালিয়াম নাইট্রাইড উৎপাদন ঘাঁটি রয়েছে, যা সবচেয়ে উন্নত ৮-ইঞ্চি উৎপাদন প্রক্রিয়া ব্যবহার করে এবং বিশ্বের সর্বোচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ডিভাইস প্রস্তুতকারক।