Inociencia rehegua

Innoscience ha'e peteî empresa de alta tecnología ojepytasóva investigación ha desarrollo ha fabricación epitaxia ha umi dispositivo semiconductor tercera generación nitruro de galio basado silicio Oadopta modelo cadena industria completa IDM (Fabricación de Dispositivos Integrados) ha omopyenda línea de producción masiva GaN-on-Si peteîha mundo-pe. Innoscience hembipotápe omopu'ã base de producción nitruro de galio (GaN) tuichavéva mundo-pe oadoptáva modelo cadena industria completa, ointegráva diseño, I+D, producción ha venta. Oñemoherakuãséramo tuicha escala-pe mercado-pe umi dispositivo electrónico potencia GaN rehegua, tekotevẽ oñembohovái ambue mbohapy punto hasýva: Peteĩha ha’e costo, ojehepyme’ẽva’erã razonablemente ojeadopta haguã ampliamente. Mokõiha ha'e oreko haguã capacidad producción masiva tuicha escala ombohovái haguã explosión mercado-pe. Mbohapyha, jaasegurava'erã estabilidad cadena de suministro dispositivo Orekóvo suministro estable de mercadería, umi cliente ikatu oñededica ipy'aite guive desarrollo producto ha sistema ojepy'apy'ÿre suspensión producción péva cambio estrategia de suministro dispositivo nitruro de galio. Innociencia oadopta estratégicamente umi oblea 8 pulgadas oñembojojávo umi oblea 6 pulgadas rehe, umi oblea 8 pulgadas ikatu oguereko 80% hetave dispositivo. Ko'ágã, empresa oreko mokõi base de producción nitruro de galio basado silicio 8 pulgadas, oiporúva proceso de producción 8 pulgadas oñemotenondevéva, ha ha'e fabricante de dispositivos nitruro de galio orekóva capacidad ijyvatevéva mundo-pe.