Feizeng pusvadītāju produktu attīstības vēsture

Kā jaudas pusvadītāju uzņēmums HuaDa Semiconductor ietvaros, Feizhen ir ne tikai ieguvis ieguldījumus no Xiaomi, bet arī veiksmīgi ieguvis tādu automobiļu klientu atzinību kā OBC. Tās produktu galvenās pielietojuma jomas ir tādas jaunas jomas kā EV ātrā uzlāde, fotoelementi, enerģijas uzglabāšana, OBC un EV elektriskā piedziņa. ● 2019. gads: panākt liela mēroga 650 V un 1200 V silīcija karbīda diožu sūtījumus, kļūstot par pirmo vietējo ražotāju, kas galvenokārt ražo un veiksmīgi piegādā 1200 V silīcija karbīda ierīces lielos daudzumos 3. paaudzes silīcija karbīda MOSFET, ieskaitot 1200V 14/18/30/40/80mΩ, izmantojot TO247-4 un TO263-7 iepakojumu, ko plaši izmanto jaunos enerģijas transportlīdzekļos, līdzstrāvas uzlādes pāļos, fotoelementos un enerģijas uzkrāšanā un citās jomās. ● Šobrīd: - Tirgū ir pieejami vairāk nekā 70 silīcija karbīda diožu modeļi, kas atbilst galvenajām specifikācijām; - tā silīcija karbīda MOSFET sprieguma pretestības līmeņi ietver 650 V–1700 V, un ieslēgšanas pretestība aptver 11–800 mΩ, tā vietā ir vairāk nekā sūtījumu daudzuma un daudzuma vajadzības; gadu no gada pieaug. Feizeng Semiconductor automobiļu klases SiC MOSFET ir izmantots iebūvētajos barošanas blokos (OBC), līdzstrāvas-līdzstrāvas pārveidotājos un citās jomās, nodrošinot automobiļu OEM un Tier 1 ražotājus ar efektīvākām un uzticamākām automobiļu kvalitātes SiC risinājumu iespējām.