История на развитието на продукта на Feizeng Semiconductor

Като компания за силови полупроводници под HuaDa Semiconductor, Feizhen не само получи инвестиция от Xiaomi, но също така успешно спечели признанието на автомобилни клиенти като OBC. Основните области на приложение на нейните продукти включват нововъзникващи области като EV бързо зареждане, фотоволтаици, съхранение на енергия, OBC и EV електрическо задвижване. ● 2019: Постигане на мащабно масово производство на 650V и 1200V силициево-карбидни диоди; ● 2021: Q4 партидни доставки, превръщайки се в първия местен производител, който основно произвежда и доставя 1200V силициево-карбидни устройства в големи количества; - Успешно стартира 3-то поколение MOSFET от силициев карбид, включително 1200V 14/18/30/40/80mΩ, използвайки опаковка TO247-4 и TO263-7, широко използвана в нови енергийни превозни средства, купчини за зареждане с постоянен ток, фотоволтаици и съхранение на енергия и други полета. ● Към момента: - Има повече от 70 модела силициево-карбидни диоди, покриващи масовите спецификации на пазара - Нивата на съпротивление на напрежението на своите силициево-карбидни MOSFETs включват 650V-1700V, а съпротивлението при включване покрива 11-800mΩ, отговаряйки на нуждите на различни приложения на напрежение - Обемът на пратката в областта на новите енергийни зареждащи купчини надхвърли милиони и непрекъснато се увеличава година след година. SiC MOSFET от автомобилен клас на Feizeng Semiconductor е използван в бордови захранващи устройства (OBC), DC-DC преобразуватели и други области, предоставяйки на OEM производителите на автомобилно оборудване и производителите от ниво 1 по-ефективни и надеждни опции за SiC решения от автомобилен клас.