Feizeng puslaidininkių gaminių kūrimo istorija

Būdama „HuaDa Semiconductor“ valdoma galios puslaidininkių kompanija, „Feizhen“ ne tik gavo investicijų iš „Xiaomi“, bet ir sėkmingai pelnė automobilių klientų, tokių kaip OBC, pripažinimą. Pagrindinės jos produktų taikymo sritys yra tokios, kaip EV greitasis įkrovimas, fotovoltinė energija, energijos kaupimas, OBC ir EV elektrinė pavara. ● 2019 m.: pasiekti didelio masto masinę 650 V ir 1200 V silicio karbido diodų gamybą ● 2021 m. IV ketvirtis, kuris daugiausia gamina ir sėkmingai pristato 1200 V silicio karbido įrenginius dideliais kiekiais ● 2023 m sukūrė 3 kartos silicio karbido MOSFET, įskaitant 1200V 14/18/30/40/80mΩ, naudojant TO247-4 ir TO263-7 pakuotes, plačiai naudojamas naujose energijos transporto priemonėse, nuolatinės srovės įkrovimo poliuose, fotovoltikoje, energijos kaupime ir kitose srityse. ● Šiuo metu: - Rinkoje yra daugiau nei 70 silicio karbido diodų modelių, atitinkančių pagrindines specifikacijas. - Silicio karbido MOSFET įtampos atsparumo lygiai yra 650V-1700V, o įjungimo varža apima 11-800mΩ, o tai viršija milijonų naujų energijos apimčių poreikius; kasmet didėja. „Feizeng Semiconductor“ automobiliams skirtas SiC MOSFET buvo naudojamas įmontuotuose maitinimo šaltiniuose (OBC), nuolatinės srovės ir nuolatinės srovės keitikliuose ir kitose srityse, suteikiant automobilių originalios įrangos gamintojams ir 1 lygio gamintojams efektyvesnius ir patikimesnius automobiliams skirtus SiC sprendimus.