ประวัติการพัฒนาผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ Feizeng

ในฐานะบริษัทเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าภายใต้ HuaDa Semiconductor บริษัท Feizhen ไม่เพียงแต่ได้รับเงินลงทุนจาก Xiaomi เท่านั้น แต่ยังได้รับการยอมรับจากลูกค้าในอุตสาหกรรมยานยนต์ เช่น OBC อีกด้วย พื้นที่การใช้งานหลักของผลิตภัณฑ์ของบริษัท ได้แก่ สาขาใหม่ เช่น การชาร์จเร็วสำหรับยานยนต์ไฟฟ้า โฟโตวอลตาอิคส์ การจัดเก็บพลังงาน OBC และไดรฟ์ไฟฟ้าสำหรับยานยนต์ไฟฟ้า ● 2562: บรรลุการผลิตจำนวนมากของไดโอดซิลิกอนคาร์ไบด์ 650V และ 1200V ● 2564: การจัดส่งแบบแบตช์ในไตรมาสที่ 4 กลายเป็นผู้ผลิตในประเทศรายแรกที่ผลิตและจัดส่งอุปกรณ์ซิลิกอนคาร์ไบด์ 1200V ในปริมาณมากเป็นหลักและประสบความสำเร็จในการจัดส่ง ● 2566: - ปริมาณการจัดส่งอุปกรณ์ซิลิกอนคาร์ไบด์ 1200V สะสมเกิน 24 ล้านชิ้น - เปิดตัว MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์รุ่นที่ 3 สำเร็จ รวมถึง 1200V 14/18/30/40/80mΩ โดยใช้บรรจุภัณฑ์ TO247-4 และ TO263-7 ซึ่งใช้กันอย่างแพร่หลายในรถยนต์พลังงานใหม่ เสาชาร์จ DC โฟโตวอลตาอิกส์และการจัดเก็บพลังงาน และสาขาอื่นๆ ● ณ ปัจจุบัน: - มีไดโอดซิลิกอนคาร์ไบด์มากกว่า 70 รุ่น ซึ่งครอบคลุมคุณสมบัติหลักในตลาด - ระดับความต้านทานแรงดันไฟฟ้าของ MOSFET ซิลิกอนคาร์ไบด์ ได้แก่ 650V-1700V และความต้านทานการเปิดครอบคลุม 11-800mΩ ตอบสนองความต้องการของแอปพลิเคชั่นแรงดันไฟฟ้าที่แตกต่างกัน - ปริมาณการจัดส่งในด้านเสาชาร์จพลังงานใหม่เกินล้านชิ้น และเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องทุกปี มีการใช้ SiC MOSFET เกรดยานยนต์ของ Feizeng Semiconductor ในแหล่งจ่ายไฟออนบอร์ด (OBC) ตัวแปลง DC-DC และสาขาอื่นๆ โดยมอบตัวเลือกโซลูชัน SiC เกรดยานยนต์ที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้มากยิ่งขึ้นให้กับ OEM ของยานยนต์และผู้ผลิตชั้น 1