Производство Qinglan Semiconductor достигло 1,6 млн единиц

В городе Хуалун района Паньюй города Гуанчжоу началось строительство промышленного парка интеллектуальных подключенных транспортных средств на новой энергии GAC, включающего в себя производство модулей из карбида кремния - компанию Guangzhou Qinglan Semiconductor. Ян Сяоцзе, генеральный директор Qinglan Semiconductor, рассказал, что одна производственная линия может производить один модуль примерно за одну минуту с годовым объемом производства 400 000 модулей; весь завод имеет четыре различные линии по производству продукции, включая модули IGBT и модули из карбида кремния, с годовым объемом производства 1,6 миллиона модулей. Однако в декабре 2023 года компания Qinglan Semiconductor на церемонии ввода в эксплуатацию проекта IGBT объявила, что общий объем инвестиций в проект составляет 463 млн юаней. После того, как две фазы проекта выйдут на полную мощность, мощность производства модулей IGBT может достичь 800 000 единиц/год, что является определенным разрывом по сравнению с вышеуказанными 1,6 млн штук. По этой причине отраслевые эксперты предполагают, что Qinglan Semiconductor может построить две линии по производству модулей SiC с годовой производительностью 800 000 единиц.