A Qinglan Semiconductor gyártása elérte az 1,6 millió darabot

A GAC Intelligent Connected New Energy Vehicle Ipari Park Hualong városában, a Panyu kerületben, Guangzhou megkezdte az építkezést, beleértve a szilícium-karbid modulokat gyártó Guangzhou Qinglan Semiconductort is. Yang Xiaojie, a Qinglan Semiconductor vezérigazgatója felfedte, hogy egy gyártósor egy modult körülbelül egy perc alatt tud legyártani, 400 000 modul éves teljesítményével az egész gyárban négy különböző termékgyártó sor van, beleértve az IGBT modulokat és a szilícium-karbid modulokat, amelyek éves teljesítménye 1,6 millió modul. 2023 decemberében azonban a Qinglan Semiconductor az IGBT projekt üzembe helyezési ünnepségén bejelentette, hogy a teljes projektberuházásuk 463 millió jüan A projekt két fázisa eléri a teljes termelést, az IGBT modul gyártási kapacitása elérheti a 800 000 darab/év értéket, ami bizonyos eltérés a fenti 1,6 millió darabhoz képest. Emiatt az iparág bennfentesei úgy becsülik, hogy a Qinglan Semiconductor két SiC modul gyártósort építhet, amelyek éves gyártási kapacitása 800 000 egység.