Виробництво Qinglan Semiconductor досягло 1,6 мільйона одиниць

GAC Intelligent Connected New Energy Vehicle Industrial Park, розташований у місті Hualong, район Panyu, Гуанчжоу, розпочав будівництво, включаючи виробника модулів з карбіду кремнію - Guangzhou Qinglan Semiconductor. Ян Сяоцзе, генеральний директор Qinglan Semiconductor, розповів, що одна виробнича лінія може виробляти один модуль приблизно за одну хвилину з річною продуктивністю 400 000 модулів; уся фабрика має чотири різні виробничі лінії, включаючи модулі IGBT і модулі з карбіду кремнію, з річною продуктивністю 1,6 мільйона модулів. Однак у грудні 2023 року компанія Qinglan Semiconductor оголосила на церемонії введення в експлуатацію проекту IGBT, що їхні загальні інвестиції в проект становлять 463 мільйони юанів після того, як два етапи проекту досягнуть повного виробництва, потужність виробництва модулів IGBT може досягти 800 000 одиниць на рік, що є певним відривом від вищезазначених 1,6 мільйона штук. З цієї причини інсайдери галузі припускають, що Qinglan Semiconductor може побудувати дві лінії виробництва модулів SiC з річною виробничою потужністю 800 000 одиниць.