Fuji လျှပ်စစ်ထုတ်ကုန်များ

Fuji Electric တွင် ခိုင်မာသော ထုတ်ကုန်အစုစုရှိပြီး ၎င်း၏ semiconductor ဝင်ငွေ၏ 30% ခန့်သည် မော်တော်ယာဥ်လုပ်ငန်းမှ ရရှိသည်။ Fuji Electric သည် ဆီလီကွန်အခြေခံ IGBT/MOSFET နှင့် SiC-based semiconductor ထုတ်ကုန်များ၏ အစုစုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ 2013 ခုနှစ်တွင် ၎င်းတို့သည် Matsumoto စက်ရုံတွင် SiC ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအသစ်ကို wafer ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ထုပ်ပိုးခြင်းဆိုင်ရာ စက်ရုံများအပါအဝင် တည်ဆောက်ခဲ့သည်။ ကုမ္ပဏီ၏ SiC စက်များကို 150mm SiC wafer နည်းပညာဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားသည်။ Fuji Electric ၏ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်ကုန်များကို အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့် မော်တော်ယာဥ်နှင့် အထွေထွေစက်မှုလုပ်ငန်း ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲထားသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် 2023 ခုနှစ်တွင် မော်တော်ကားအက်ပလီကေးရှင်းများရောင်းချမှုကို 50% အထိတိုးမြှင့်ရန်စီစဉ်ထားသောကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုတစ်ဝက်ကျော်သည် မော်တော်ယာဥ်ဦးတည်ချက်သို့ရောက်ရှိနေပါသည်။ IGBT သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းရောင်းချမှု၏ 60% ကျော် (ကျန်သည် ယေဘူယျစက်မှုနယ်ပယ်တွင် သီးခြားအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီး 20% မှာ မော်တော်ယာဥ်နယ်ပယ်တွင် သီးခြားအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်၊ စသည်ဖြင့်) ကျွန်ုပ်တို့၏ အဓိကထုတ်ကုန်သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် IGBT ဖြစ်ပြီး သတ္တမမြောက်မျိုးဆက် IGBT ၏ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ဆက်လက်တိုးမြှင့်ကာ IGBT မျိုးဆက် ရှစ်ခု၏နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို မြှင့်တင်သွားမည်ဖြစ်သည်။ ရည်မှန်းချက်သည် 2025 နှင့် 2026 ခုနှစ်အကြား SiC ပါဝါ module စျေးကွက်တစ်ခုလုံး၏ 20% ရှယ်ယာကို ရယူရန်ဖြစ်သည်။ ခန့်မှန်းစျေးကွက်အရွယ်အစားအပေါ်အခြေခံ၍ ပမာဏသည် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် ယန်း 10-15 ဘီလီယံ (ယွမ်ငွေ 600 သန်း-900 သန်းခန့်) ဖြစ်သည်။