O principal negócio da Xinjie Energy

2024-02-14 00:00
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O principal negócio da Xinjie Energy é a pesquisa e desenvolvimento, design e vendas de chips semicondutores e dispositivos de energia, como MOSFET e IGBT. Os produtos vendidos pela empresa podem ser divididos em chips e produtos acabados embalados, de acordo com se são embalados ou não. A empresa é uma fabricante profissional de divisão vertical de trabalho. Depois que a empresa projeta os chips, eles são entregues a empresas de fundição de chips para produção OEM. Os produtos embalados são embalados e testados por empresas externas de embalagem e teste comissionadas pela empresa. A empresa estabeleceu o Centro de Pesquisa em Tecnologia de Engenharia de Dispositivos de Energia de Jiangsu, a Estação de Trabalho de Pós-Graduação Empresarial de Jiangsu, o Centro de P&D Conjunto de Tecnologia de Dispositivos de Energia da Universidade do Sudeste-Wuxi Xinjie e o Centro de P&D Conjunto de Tecnologia de Dispositivos de Energia da Universidade de Jiangnan-Wuxi Xinjie. A Wuxi Dianji Integrated Technology Co., Ltd. está localizada na No. 6 Dianteng Road, Distrito de Xinwu, Cidade de Wuxi. Foi fundada em 21 de março de 2017 e é uma subsidiária integral da Wuxi Xinjie Energy Co., Ltd. A empresa tem um capital registrado de RMB 270 milhões, cobre uma área de 15.272 metros quadrados e tem uma área de construção de 21.467 metros quadrados. A área atual da oficina de embalagem e teste é de 8.000 metros quadrados. As principais formas de embalagem são SOT, série TO e embalagem de produtos DFN. A empresa é uma das primeiras empresas nacionais que tem quatro grandes plataformas de produtos: trench power MOSFET, super junction power MOSFET, shielded gate power MOSFET e IGBT. Sua voltagem de produto cobriu uma gama completa de produtos de 12 V a 1700 V, atingindo mais de 1.700 tipos. É uma empresa nacional com uma participação de mercado líder em MOSFET e outros dispositivos de energia na China, e investiu na pesquisa e desenvolvimento e industrialização de semicondutores de banda larga SiC/GaN e dispositivos de energia inteligentes.