Über Innosilicon Semiconductor

Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. ist ein Unternehmen für die Verpackung und Prüfung von Leistungshalbleitermodulen von Great Wall Motors. Es verfügt derzeit über ein F&E-Zentrum in Frankfurt, ein F&E-Zentrum in Shanghai, ein Anwendungszentrum in Baoding und eine Produktionsbasis für Halbleiter der dritten Generation in Wuxi. Wir konzentrieren uns auf die Forschung und Entwicklung sowie auf die Innovation von Si IGBT und SiC MOS mit unabhängigen und steuerbaren Kerntechnologien und sind bestrebt, Kunden in neuen Energiefeldern wie Fahrzeugen mit neuer Energie, Photovoltaik und Energiespeicherung leistungsfähige Stromversorgungsprodukte und -lösungen anzubieten. Das Projektteam wurde im Oktober 2021 gegründet, das Verpackungs- und Testprojekt für Halbleitermodule der dritten Generation wurde im August 2022 in Wuxi unterzeichnet, Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. wurde im November 2022 registriert und gegründet und das „Verpackungs- und Testprojekt für Halbleitermodule der dritten Generation“ von Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. wurde im Februar 2023 offiziell gegründet. Im Juni 2023 wurde das IGBT-Modul offiziell in Massenproduktion hergestellt und das erste 750V/820A IGBT-Modul der GFM-Plattform bestand die AQG324-Zertifizierung für die Automobilindustrie. Im Oktober 2023 wurde die erste Verpackungs- und Testproduktionslinie der Fabrik von Xindong Semiconductor Wuxi in Betrieb genommen und im November 2023 wurde das IGBT-Modul erfolgreich installiert. Das Unternehmen hat die Entwicklung und Verifizierung von 750-V-IGBT- und 1200-V-SiC-Leistungsmodulprodukten in Automobilqualität in verschiedenen Verpackungsformen abgeschlossen. Wuxi: Produktionsstandort für die Verpackung und Prüfung von Halbleitermodulen der dritten Generation sowie intelligente Fabrik mit vollständiger Rückverfolgbarkeit (TFTP) mit einer Gesamtinvestition von 800 Millionen Yuan. Der geplante Reinraum der 10.000-Ebene ist 3.800 Quadratmeter groß und hat eine jährliche Produktionskapazität von 1,2 Millionen. Durch den Einsatz hochmoderner internationaler Geräte ist die Produktionslinie mit IGBT- und SiC-Wafern verschiedener Spezifikationen kompatibel.