Acerca de Innosilicon Semiconductor

2024-02-15 00:00
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Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. es una empresa de pruebas y empaquetado de módulos de semiconductores de potencia perteneciente a Great Wall Motors. Actualmente cuenta con un centro de investigación y desarrollo en Frankfurt, un centro de investigación y desarrollo en Shanghái, un centro de aplicaciones en Baoding y una base de fabricación de semiconductores de tercera generación en Wuxi. Centrándonos en la I+D y la innovación de Si IGBT y SiC MOS, con tecnologías centrales independientes y controlables, estamos comprometidos a proporcionar productos y soluciones de energía de rendimiento superior a los clientes en nuevos campos de energía, como vehículos de nueva energía, fotovoltaica y almacenamiento de energía. El equipo del proyecto se estableció en octubre de 2021, el proyecto de empaquetado y prueba de módulos semiconductores de tercera generación se firmó en Wuxi en agosto de 2022, Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. se registró y estableció en noviembre de 2022, y el "proyecto de empaquetado y prueba de módulos semiconductores de tercera generación" de Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. se presentó oficialmente en febrero de 2023. En junio de 2023, el módulo IGBT se produjo oficialmente en masa y el primer módulo IGBT de 750 V/820 A de la plataforma GFM pasó la certificación AQG324 de grado automotriz. En octubre de 2023, se puso en funcionamiento la primera línea de producción de empaquetado y prueba de la fábrica de Xindong Semiconductor en Wuxi, y en noviembre de 2023, el módulo IGBT se instaló con éxito. La empresa ha completado el desarrollo y la verificación de productos de módulos de potencia de grado automotriz IGBT de 750 V y SiC de 1200 V en diferentes formas de empaquetado. Base de fabricación de empaquetado y prueba de módulos semiconductores de tercera generación de Wuxi, fábrica inteligente con trazabilidad de factores completos (TFTP), con una inversión total de 800 millones de yuanes. La sala limpia planificada de nivel 10.000 tiene una superficie de 3.800 metros cuadrados y una capacidad de producción anual de 1,2 millones. Utilizando equipos internacionales de última generación, la línea de producción es compatible con obleas IGBT y SiC de diversas especificaciones.