De Innosilicon Semiconductor

Wuxi Xindong Semiconductor Technologiae Co, Ltd. est potentia semiconductoris moduli packaging et probatio societas sub Magno Motorum Muro. In praesenti est centrum R&D Frankfurt, centrum Shanghai R&D, centrum applicationis Baoding, et Wuxi tertiae generationis semiconductoris basim fabricandi. In R&D ac innovatione Si IGBT & SiC MOS positae, cum technologiae nuclei independentes et moderabiles, commendamur ut praestantiores effectus potentias et solutiones clientibus in novis agris industriae praestantes praebeant, ut novas vehiculis energiae, photovoltaicis, et industria repono. The team project was established in October 2021, the third-generation semiconductor moduli packaging and probating project was signed in Wuxi in August 2022, Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co, Ltd. relatus et stabilitus mense Novembri 2022, et "tertia generatio semiconductor moduli packaging et probatio propositi" Wuxi Xindong Ltd. productus et primus GFM suggestus 750V/820A IGBT modulus certificationem automotivum-gradus AQG324 transiit. Mense Octobri 2023, prima sarcina et probatio productionis linea Xindong Semiconductoris Wuxi in operando facta est, et mense Novembri 2023, modulus IGBT feliciter inauguratus est. Societas progressionem et confirmationem 750V IGBT et 1200V SiC potentiae moduli autocineti-gradus in diversis formis packaging. Wuxi tertia-generatio semiconductor moduli packaging et probandi basim fabricandi, factor plenus-traceabilitas officinas callidi (TFTP), cum tota obsidione DCCC decies Yuan. Propositum 10,000 graduum cubiculum mundium est 3,800 metra quadrata, cum capacitate productionis annua 1.2 decies centena millia. Utens acies instrumentorum internationalium, productio linea compatitur cum IGBT et SiC lagana variarum specierum.