Inosilicio Semiconductor rehegua

Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. ha'e peteĩ empresa de envasado ha prueba módulo semiconductor de potencia Great Wall Motors poguýpe Ko'ágã oreko centro de I+D Frankfurt, centro de I+D Shanghai, centro de aplicación Baoding, ha base de fabricación semiconductor tercera generación Wuxi. Ojesarekóva I+D ha innovación Si IGBT & SiC MOS, orekóva tecnologías núcleo independiente ha controlable, roñekompromete ome'ëvo producto de potencia desempeño superior ha solución cliente-kuérape umi ámbito energía pyahúpe ha'eháicha mba'yrumýi energía pyahu, fotovoltaica, ha almacenamiento energía. Ko equipo proyecto oñemopyenda octubre 2021, proyecto de envasado ha prueba módulo semiconductor tercera generación ofirma Wuxi-pe agosto 2022, Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. oñeregistra ha oñemopyenda noviembre 2022, ha "proyecto de envasado ha prueba módulo semiconductor tercera generación" Wuxi Xindong Semiconductor Technology Co., Ltd. oime oficialmente laid febrero jave 023. Junio ​​2023-pe, ojejapo oficialmente hetaiterei módulo IGBT ha peteĩha plataforma GFM 750V/820A módulo IGBT ohasa certificación AQG324 grado automotriz-pe Octubre 2023-pe, peteĩha línea de producción de envasado ha prueba fábrica Xindong Semiconductor Wuxi-pegua oñemoĩ en funcionamiento, ha noviembre 2023-pe oñeinstalá porã módulo IGBT. Ko empresa omohu'ã desarrollo ha verificación umi producto módulo de potencia grado automotriz 750V IGBT ha 1200V SiC iñambuéva forma de envasado. Wuxi tercera generación módulo semiconductor envasado ha prueba base de fabricación, fábrica inteligente trazabilidad factor completo (TFTP), orekóva inversión total 800 millones de yuanes. Ko sala limpia orekóva 10.000 nivel oñeplanifika ha'e 3.800 metro cuadrado, orekóva capacidad de producción anual 1,2 millones. Oiporúvo equipo de punta internacional, línea de producción oime compatible umi oblea IGBT ha SiC opáichagua especificación.