Micron lanceert nieuwe DDR5 DRAM met behulp van EUV-lithografie op 1γ-proces

Geheugengigant Micron heeft zijn eerste nieuwe DDR5 DRAM gelanceerd met behulp van het 1γ (1-gamma; zesde generatie 10nm node) proces met behulp van extreme ultraviolet (EUV) lithografietechnologie. Het nieuwe DRAM wordt al getest en geverifieerd door notebook- en serverfabrikanten. Micron benadrukte dat dit DRAM hogere prestaties zal leveren dan 1β (1-beta), een lager stroomverbruik en een hogere bitdichtheid. Het biedt ondersteuning voor vijf belangrijke toepassingen, waaronder data, mobiele telefoons, AI-pc's, slimme auto's en games.