Micron lanserar nytt DDR5 DRAM med EUV-litografi på 1γ-process

Minnesjätten Micron har lanserat sin första nya DDR5 DRAM med 1γ (1-gamma; sjätte generationens 10nm nod)-process med extrem ultraviolett (EUV) litografiteknik. Det nya DRAM-minnet har redan börjat samplas och verifieras av notebook- och servertillverkare. Micron betonade att detta DRAM kommer att ha högre prestanda än 1β (1-beta), lägre strömförbrukning och högre bitdensitet. Det kommer att ge stöd för fem stora applikationer inklusive data, mobiltelefoner, AI-datorer, smarta bilar och spel.