Micron lancéiert neien DDR5 DRAM Mat EUV Lithographie op 1γ Prozess

Memory Ris Micron huet säin éischten neien DDR5 DRAM gestart mat dem 1γ (1-gamma; sechster Generatioun 10nm Node) Prozess mat extremer ultraviolet (EUV) Lithographie Technologie. Den neien DRAM ass scho vun Notizbuch- a Serverhersteller gepréift a verifizéiert ginn. Micron huet betount datt dësen DRAM méi héich Leeschtung wäert hunn wéi 1β (1-Beta), manner Stroumverbrauch a méi héich Bitdensitéit. Et wäert Ënnerstëtzung fir fënnef grouss Uwendungen ubidden, dorënner Daten, Handyen, AI PCs, Smart Autoen a Spiller.